Résistance 0,1 Ω ~ 40 M Ω La précision est de 0,05 Ω ~ 100 M Ω (2 fils) ± 1 % - 5 % (quatre fils) 0,05 Ω. Capacité 1pf ~ 40MF précision ± 2%-5%. Inductance 1uh ~ 50h, précision 2% - 5%. Diodes 0,1 ~ 6 V précision ± 1 %-3 %. Diode de tension stabilisée 0,1 ~ 15 V précision ± 1 %-3 %. Mesure de la tension de saturation VCE à trois bornes de la valeur β du transistor. Test à trois bornes du transistor à effet de champ VDS, CD, RD (on). Coupleur optique et relais, avec quatre bornes pour tester sa tension de conduction ou sa résistance. | 
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